三星电子今日召开技术发布会，正式宣布其自主研发的HBM4高带宽存储芯片在量产测试中良率已稳定突破百分之八十五的关键节点。作为专为AI训练与推理设计的核心部件，HBM4通过堆叠层数增加与接口协议升级，理论带宽较上一代提升近一倍。三星指出，良率的稳步爬升意味着其已成功解决热管理不均与硅中介层对准等工艺痛点，即将向主要客户交付首批工程样片，从而缓解全球AI算力基础设施面临的存储墙瓶颈问题。
关键要点
- HBM4量产良率稳定突破百分之八十五门槛
- 理论带宽较上代提升近一倍缓解存储墙瓶颈
- 已解决热管理与中介层对准等核心工艺痛点
