存储芯片价格触底反弹HBM产能成争夺焦点

全球半导体存储市场正经历周期反转的关键节点。根据多家权威机构发布的最新报价，主流DRAM颗粒与NAND闪存合约价格已连续两个季度呈现阶梯式上涨，彻底告别此前的去库存低谷。本轮复苏的核心驱动力并非消费电子回暖，而是来自AI大模型训练与推理对海量高速内存的刚性需求。特别是高带宽存储器HBM，因其能够显著提升GPU与内存之间的数据吞吐效率，成为英伟达、AMD等芯片巨头不可或缺的配套组件。三星、SK海力士与美光三大原厂已将绝大部分先进晶圆产能倾斜至HBM产线，导致常规存储芯片的产能进一步受限。目前主流客户的HBM订单交期已被拉长至二零二七年中期，部分定制型号甚至出现一货难求的局面，存储板块的投资价值重新受到机构青睐。