HBM产能挤占效应显现:通用型DRAM价格环比暴涨近翻倍

AI资讯 2026-08-26 08:40

由于HBM生产所需晶圆面积约为标准DDR5的三倍,2026年HBM占DRAM晶圆投片比重已达22%,预计2027年将升至30%。严重的产能挤占导致通用型DRAM供应趋紧,一季度合约价环比上涨93%至98%,NAND闪存亦上涨55%至60%。这一结构性变化迫使云厂商与服务器制造商重新评估库存策略,部分企业开始签订长期锁价协议以规避涨价风险。产能向高附加值产品倾斜虽提升了原厂利润,但也加剧了非AI领域的硬件成本压力,产业链上下游正寻求多元化供应渠道以平衡风险。

关键要点

  • HBM晶圆占用面积约为标准DDR五的三倍导致产能挤占
  • 二零二六年HBM占DRAM投片比重已达百分之二十二
  • 通用型DRAM合约价环比暴涨近翻倍推高整机成本
  • 云厂商纷纷签订长期锁价协议以规避供应链涨价风险

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