三星2nm工艺流片成功定档明年商用

AI资讯 2026-09-23 05:32

三星电子近日对外公布其尖端制程研发进度，确认采用Gate-All-Around晶体管结构的2纳米工艺已完成首轮掩膜版流片。该架构通过全环绕栅极设计有效抑制了量子隧穿效应，理论能效比提升30以上。公司规划于明年上半年启动客户风险试产，首批目标锁定旗舰智能手机SoC及部分车规级处理器项目。