第三代半导体碳化硅模块降本增效获突破

8月30日，中科院合肥物质科学研究院与国内新能源整车制造商共同宣布，在第三代半导体碳化硅功率器件领域取得工程化突破。研发团队通过优化外延生长工艺与改进栅极驱动电路，使新一代碳化硅模块的导通损耗较上一代产品降低百分之十五，且在高温高压工况下的稳定性显著提升。更为关键的是，通过本土化供应链整合与晶圆尺寸升级至八英寸，该模块的制造成本较同类进口产品下降约百分之二十。测算表明，装车后可使电动车电驱系统效率提升三个百分点，直接增加续航里程约五十公里。该技术的大规模商用将有力加速新能源汽车核心的全面国产化替代。